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誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置 (Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etcher)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 京都大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | (株)アルバック (ULVAC, Inc.) |
| 型番 | Gemini-200E |
| 設備名称 | 誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置 (Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etcher) |
| 装置スペック | 有磁場ICP方式の高密度プラズマエッチング装置。 ・基板サイズ：Φ6 ・プロセスガス：C4F8、CHF3、CF4、Cl2、BCl3ほか ・用途：各種メタル、GaN、ITOほか ・スター電極による汚れ防止対策 ・カセット室装備 |
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