デバイス >
シリコン酸化膜犠牲層ドライエッチングシステム (Vapor HF Release Etcher)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 京都大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | 住友精密工業(株) (Sumitomo Precision Products CO., LTD.) |
| 型番 | MLT-SLE-Ox |
| 設備名称 | シリコン酸化膜犠牲層ドライエッチングシステム (Vapor HF Release Etcher) |
| 装置スペック | 気相HFによってSiO2を選択除去するためのドライエッチング装置（非プラズマ）。 ・基板：MAX Φ8（常用Φ6）×3枚、不定形可 ・用途：SOIデバイスのBOXエッチ など |
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