デバイス >
プラズマCVD装置 (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition System)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 京都大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | 住友精密工業(株) (Sumitomo Precision Products CO., LTD.) |
| 型番 | MPX-CVD |
| 設備名称 | プラズマCVD装置 (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition System) |
| 装置スペック | 液体ソース（酸化膜／窒化膜用）を用いたプラズマCVD装置。 ・基板サイズ：MAX Φ6 ・RF電源：500W＠上部(13.56MHz)、500W＠下部(380kHz) ・プロセスガス：C4F8、H2 ほか ・液体ソース：TEOS（テトラエトキシシラン）、TSA（トリシリルアミン） ・温度：150〜350℃ |
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