デバイス >
電子ビーム露光装置?(Electron beam lithograph system)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 東京工業大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | 日本電子 (JEOL) |
| 型番 | JBX-8100 |
| 設備名称 | 電子ビーム露光装置?(Electron beam lithograph system) |
| 装置スペック | スポットビーム、ベクタースキャン方式。 ビーム径3nm以下(100kV)、最小線幅8nm。つなぎ精度:仕様20nm/実測7.6nm（フィールドサイズ1000um)、重ね合わせ精度:仕様20nm/9.8nm（フィールドサイズ1000um）試料最大150㎜φウエーハまで 不定形も可能 |
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